Всё для Учёбы — студенческий файлообменник
1 монета
doc

Студенческий документ № 050910 из МЭСИ

КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ

И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

К ИХ ВЫПОЛНЕНИЮ ПО КУРСУ

"МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ"

Содержание.

Введение 3

1. Основные вопросы курса. 3

Литература. 5

2. Указания к выбору вариантов задач контрольного задания. 8

3. Задачи контрольного задания 8

4. Справочный материал по курсу. 13

Введение.

Дисциплина "Материалы электронных средств" должна обеспечить естественнонаучную подготовку студентов, необходимую для усвоения курсов "Электроника", "Оптические и квантовые приборы и устройства", "Физические основы электроники".

Целью курса "Материалы электронных средств" является изучение физико-химических свойств основных групп материалов, применяемых при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).

В результате изучения дисциплины студент должен знать:

- номенклатуру, способы получения и области применения полупроводниковых, диэлектрических, проводниковых и магнитных материалов;

- физико-химические свойства изучаемых материалов и способы управления ими;

- варианты подбора материалов для изготовления компонентов РЭА.

По данному курсу предусмотрено выполнение контрольной работы.

1. Основные вопросы курса.

1.1 Общие вопросы.

1. Основные требования, предъявляемые к электрорадиоматериалам.

2. Классификация радиоматериалов по физико-химическим свойствам.

3. Экологические аспекты технологии формирования материалов (диэлектриков, полупроводников, проводников, магнитных материалов).

1.2 Проводниковые материалы.

1. Физико-химические свойства проводниковых материалов.

2. Параметры и характеристики проводимости проводниковых материалов.

3. Материалы с высокой удельной проводимостью. Сверхпроводники. Криопроводники. Характеристики. Области применения в электронике.

4. Металлы с большим удельным сопротивлением. Характеристики. Область применения.

5. Неметаллические проводники. Характеристики проводимости неметаллических проводников.

1.3 Полупроводниковые материалы.

1. Физико-химические свойства полупроводниковых материалов.

2. Области применения полупроводниковых материалов в электронике.

3. Собственные полупроводники.

4. Донорные полупроводники.

5. Акцепторные полупроводники.

6. Электропроводность в полупроводниках.

7. Токи в полупроводниках.

8. Влияние температуры на электропроводность полупроводников.

9. Влияние света на электропроводность полупроводников.

10. Влияние деформации на электропроводность полупроводников.

11. Влияние сильных электрических полей на электропроводность полупроводников.

12. Структура и проводимость германия.

13. Структура и проводимость кремния.

14. Полупроводниковые соединения типа АIIBVI. Характеристики. Области применения в электронике.

15. Полупроводниковые соединения типа АIIIBV. Характеристики. Области применения в электронике.

16. Твердые растворы на основе полупроводниковых соединений. Характеристики. Области применения в электронике.

1.4 Диэлектрические материалы.

1. Назначение диэлектрических материалов. Основные характеристики.

2. Виды поляризации диэлектриков.

3. Электропроводность диэлектриков.

4. Диэлектрические потери электроизоляционных материалов. Виды диэлектрических потерь.

5. Пробой диэлектриков. Виды пробоя.

6. Пассивные диэлектрики. Классификация. Область применения в электронике.

7. Активные диэлектрики. Классификация. Область применения в электронике.

8. Органические материалы. Физико-химические свойства органических материалов.

9. Области применения органических материалов в электронике.

1.5 Магнитные материалы.

1. Классификация веществ по магнитным свойствам.

2. Магнитные характеристики материалов. Модели намагничивания материалов.

3. Металлические магнитномягкие материалы. Характеристики. Области применения в электронике.

4. Металлические магнитотвердые материалы. Характеристики. Области применения в электронике.

5. Ферриты. Характеристики. Области применения в электронике.

6. Магнитодиэлектрики. Характеристики. Области применения в электронике.

Литература

Основная.

1. Демаков Ю.П. Радиоматериалы и радиокомпоненты ч.1: Радиотехнические материалы - Москва: ВИНИТИ , 1997. - 115с.

2. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: Учебное пособие/ К.С.Петров. - СПб.: Питер, 2003. - 512с.: ил.

3. Тихомиров Н.Н., Радиоматериалы и радиокомпоненты: Учебное пособие: М.: Высшая школа, 1999. - 157с.

4. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: Учебник. 5-е изд., стер. - СПб.: Издательство "Лань", 2003. - 368 с., ил. - (Учебники для вузов. Специальная литература).

Дополнительная.

1. Голев И.М., радиоматериалы: Учебное пособие - Воронеж: "Энергоатомиздат", 1994г - 91с.

2. Хандогин М.С., Учебное пособие по курсу "Радиоматериалы, радиокомпоненты и основы микроэлектроники" - Минск.: МРТИ, 1991г. - 141с.

3. Свитенко В.Н., Элементы и компоненты РЭУ. Радиоматериалы.: Учебное пособие для специальности "Радиотехника" - Киев, 1990г. - 93 с.

4. Конструкционные и электротехнические материалы под редакцией В.А. Филипова - М.: Высшая школа,1990г. - 95с.

5. Никулин Н.В., Электроматериаловедение - М.: Высшая школа, 1989г. - 56с.

6. Пасынков В.В., Сорокин В.С., Материалы электронной техники - М.: Высшая школа, 1986г. - 197с.

7. Богородицкий Ш.П. и др., Электротехнические материал - Ленинград: "Энергоатомиздат", 1985г. - 112с.

8. Калинин Н.Н и др., Электроматериалы - М.: Высшая школа, 1981г. - 48с.

9. Угай Я.А.. Введение в химию проводников - М.: Высшая школа, 1975г. - 32с.

10. Казарновский Д.И., Манов С.А., Радиотехнические материалы - М.: Высшая школа, 1972г. - 133с.

11. Терехов В.А. Задачник по электронным приборам - М.:Энергоатомиздат, 1983 г.-280 с

12. Электрорадиоматериалы. Под ред. Тареева Б.М. Учебное пособие для студентов - М.: Высшая школа, 1978г.

ВОПРОСЫ К ЗАЧЕТУ ПО КУРСУ Материалы электронных средств

1. Какова температурная зависимость проводимости примесных полупроводников и чем она обусловлена?

2. В чем отличие полупроводниковых материалов от проводниковых?

3. В чем отличие полупроводниковых материалов от диэлектрических?

4. Как возникают в полупроводнике свободные носители зарядов?

5. Почему подвижность дырок меньше, чем подвижность электронов?

6. Какой тип электропроводности (дырочный или электронный) имеет собственный полупроводник? Почему?

7. Как влияет температура на подвижность электронов и дырок в полупроводнике?

8. В каком случае электропроводность полупроводников является собственной, а в каком примесной?

9. Как связана ширина запрещенной зоны с электропроводностью полупроводниковых материалов ?

10. Какая разница между понятиями "загрязнения" и "примеси" в полупроводниках?

11. Что такое рекомбинация свободных носителей заряда? Ее механизмы.

12. Что происходит в полупроводнике при одновременном внесении донорной и акцепторной примеси? Как определить тип электропроводности такого полупроводника?

13. Может ли произойти пробой вакуума? Почему?

14. Когда в электроизоляционном материале имеет место электрохимический пробой?

15. Когда в электроизоляционных материалах наступает тепловой пробой?

16. Что характеризует электрическая прочность диэлектрика?

17. Что такое пробой диэлектрика? Виды пробоя.

18. От каких факторов зависят диэлектрические потери в диэлектриках?

19. Чем вызваны диэлектрические потери в диэлектрике?

20. Когда в электроизоляционном материале имеет место электрохимический пробой?

21. Почему диэлектрики в электрическом поле нагреваются?

22. Чем вызвана поверхностная электропроводность твердых диэлектриков?

23. В чем внешне проявляется поляризация диэлектриков?

24. Почему в диэлектриках характер собственной электропроводности ионный, а не электронный?

25. Чем объясняется уменьшение электрической прочности при увеличении толщины диэлектрика?

26. Всегда ли сверхпроводники бывают сверхпроводящими? Почему?

27. Какие преимущества и недостатки у алюминия перед медью?

28. Что такое биметаллический проводник? С какой целью его используют?

29. Почему металлы в газообразном состоянии являются электроизоляционными материалами?

30. Что такое криопроводимость? С какой целью ее можно использовать?

31. Какие требования предъявляют к проводниковым материалам?

32. Как влияет температура на электропроводность проводниковых материалов? Почему?

33. Каковы основные параметры проводниковых материалов?

34. Чем характеризуются механические свойства проводников?

35. В чем причина появления контактной разности потенциалов при контакте двух различных металлических проводников?

36. Что характеризует ТКr?

37. Как изменяется удельное сопротивление у металлов при плавлении?

38. Какую роль в электротехнике играют контактные материалы? Какие требования к ним предъявляются?

39. Какие наиболее важные параметры магнитотвердых материалов? Почему?

40. Какие наиболее важные параметры магнитномягких материалов? Почему?

41. Чем обусловлены магнитные свойства материалов?

42. Какой параметр магнитного материала определяется наклоном предельной петли гистерезиса?

43. На рис. представлены предельные петли гистерезиса двух магнитных материалов. Потери в каком из них больше и почему?

44. На каком основании магнитные материалы относят к магнитотвердым?

45. На каком основании магнитные материалы относят к магнитномягким?

46. Что такое ферриты и в чем их достоинства?

47. Что характеризует и как определяется относительная магнитная проницаемость?

48. Как ведет себя парамагнетик в неоднородном магнитном поле? Почему?

49. Как ведет себя диамагнетик в неоднородном магнитном поле? Почему?

50. В чем проявляется парамагнитный эффект?

51. Что такое диамагнитный эффект? Для каких материалов он характерен?

52. В постоянном или переменном магнитном поле потери в магнитных материалах выше? Почему?

2. Указания к выбору вариантов задач контрольного задания.

Номер варианта задач 3.1.1 3.1.2 и 3.3.1 3.3.3 соответствует последней цифре, а номер варианта задач 3.2.1 3.2.3 и 3.4.1 3.4.2 предпоследней цифре студенческого билета. Контрольная работа выполняется в ученической тетради. Все решения сопровождаются подробными пояснениями.

3. Задачи контрольного задания

3.1 Проводниковые материалы

Задача № 3.1.1

Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.

№ вар. Материал То1, С То2, С То3, С L, км S, мм2 I, А 1 Al -50 +20 +50 50 10 80 2 Cu -30 0 +30 500 30 250 3 Cu -30 +25 +50 500 25 200 4 Al -40 +10 +60 200 10 80 5 Al -50 +20 +50 200 5 40 6 Cu -30 0 +30 500 15 120 7 Cu -30 +25 +50 200 7,5 60 8 Al -40 +20 +60 200 10 80 9 Al -50 +25 +60 100 2,5 20 0 Cu -40 0 +40 50 10 80

Задача № 3.1.2

Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P.

№ вар. Материал R, Ом P, Вт j, А/мм2 0, мкОмм 1 Алюминий 100 100 0,5 0,028 2 Х20Н80 2000 5 0,3 1,05 3 Х15Н60 2000 5 0,1 1,1 4 Медь 200 100 1,3 0,0172 5 Х20Н80 100 100 1,5 1,05 6 Алюминий 2000 5 0,75 0,028 7 Х20Н80 1000 10 0,8 1,05 8 Х15Н60 1000 10 0,1 1,1 9 Медь 1000 10 0,01 0,0172 0 Алюминий 200 100 0,6 0,028 3.2 Полупроводниковые материалы

Задача 3.2.1

Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной температуре.

№ вар. Полупроводник материал примесь N, см-3 1 Si сурьма 1014 2 Ge бор 2 1017 3 Si фосфор 1015 4 Ge алюминий 2 1018 5 Si бор 2,5 1015 6 Ge Фосфор 1018 7 Si Алюминий 1016 8 Ge Сурьма 4,5 1020 9 Si Бор 3 1015 0 Ge Фосфор 2 1018

Задача 3.2.2

Образец полупроводникового материала легирован примесью (см. предыдущую задачу). Определить удельную проводимость собственного и примесного полупроводника при заданной температуре Т.

№ вар. То, К 1 290 2 300 3 310 4 320 5 330 6 290 7 300 8 310 9 320 0 330

Задача 3.2.3

Определить диффузионную длину движения неравновесных носителей заряда в полупроводниковом материале при заданной температуре То, если время их жизни .

№ вар. Материал То, К , мкс 1 Si - n типа 290 100 2 Ge - n - типа 300 50 3 Si - p - типа 310 75 4 Ge - p - типа 320 120 5 Si - n - типа 330 200 6 Ge - n - типа 290 250 7 Si - p - типа 300 125 8 Ge - p - типа 310 80 9 Si - n - типа 320 175 0 Ge - n - типа 330 50

3. 3 Диэлектрические материалы

Задача № 3.3.1

Конденсаторная керамика при 20С имеет проводимость = 10-13 Сим/см. Какова проводимость т при заданной температуре, если температурный коэффициент сопротивления = 0,8?

№ варианта Т, С 1 25 2 29 3 32 4 37 5 43 6 35 7 40 8 45 9 50 0 52

Задача № 3.3.2

Определить пробивное напряжение Uпр между электродами конденсатора на рабочей частоте f, если температура, до которой нагревается в электрическом поле диэлектрический материал толщиной h конденсатора, не превышает Токр.

№ вар. Материал f, кГц h, мм Т, оС tg tg , 1/К 1 Гетинакс 10 2 50 0,040,08 0,09 4,5 30 2 Картон электроизол. 100 0,5 30 3 10-4 8 10-3 1,5 15 3 Фторопласт 1000 0,06 40 2 10-4 8,6 10-3 2,2 33,5 4 бумага кабельная 10 0,07 55 3 10-4 8 10-3 1,2 10 5 Полиэтилен 100 0,11 35 2 10-4 8,66 10-3 2,3 30 6 Лавсан 1000 0,11 45 3 10-3 1,2 10-2 1,2 13 7 Стеклотекстолит 10 1 60 2 10-2 0,02 3,5 22 8 Бакелит 10 0,2 70 1 10-2 0,05 3,0 25 9 Фторопласт 1000 0,04 65 2 10-4 8,6 10-3 2,2 35,5 0 Бумага 10 0,1 75 3 10-4 8 10-3 1,2 10

Задача № 3.3.3

Как изменится электрическая прочность воздушного конденсатора, если расстояние между электродами уменьшить от h1 до h2?

№ варианта H1, см h2, см 1 1 0,1 2 1 0,01 3 1 0,001 4 0,5 0,1 5 0,5 0,01 6 0,5 0,001 7 10 1 8 10 0,01 9 10 0,1 0 5 0,001

3.4 Магнитные материалы

Задача № 3.4.1

Один из магнитных сплавов с прямоугольной петлей гистерезиса ППГ имеет следующие параметры: поле старта Hо , коэрцитивную силу Hс, коэффициент переключения Sф. Найти время переключения .

№ варианта Ho, А/м Hc, А/м Sф, мкк/м 1 3 3 14 2 4 4 16 3 5 5 18 4 7 6 20 5 8 7 22 6 9 8 24 7 11 9 26 8 12 10 28 9 13 11 30 0 14 12 32

Задача 3.4.2.

Магнитодиэлектрик выполнен из порошков никелево-цинкового феррита HН400 и полистирола с объемным содержанием магнитного материала . Определить магнитную и диэлектрическую проницаемость материала и , если магнитная диэлектрическая проницаемость магнитного материала а, м имеет заданные значения. Диэлектрическая проницаемость полистирола Д = 2,5.

№ варианта м 1 0,1 40 2 0,2 20 3 0,3 60 4 0,4 35 5 0,5 50 6 0,4 25 7 0,3 45 8 0,2 30 9 0,1 65 0 0,5 55

4. Справочный материал по курсу.

1.Общие электрические и физические свойства радиоматериалов. Проводниковые материалы.

Закон Ома в дифференциальной форме

, (1)

где - плотность тока в материале, т.е. электрический заряд, движущийся в электрическом поле Ев за единицу времени через единицу площади.

- удельная проводимость и удельное сопротивление материала соответственно.

Закон Ома в интегральной форме:

, (2)

где I - ток в материале.

U - напряжение, приложенное к материалу или его участку.

R - полное сопротивление материала.

, (3)

где - геометрический параметр тела, называемый приведенной длиной.

Для тела с постоянным по всей длине поперечным сечением S и длиной h (например, жила провода или кабеля):

(4)

Зависимость удельного сопротивления проводника от температуры:

(Т)=0(1+(Т-Т0)), (5)

где - температурный коэффициент сопротивления;

0 - удельное сопротивление проводника при температуре Т0.

Мощность Р, рассеиваемая материалом под напряжением U при прохождении через него тока величиной I.

(6)

2. Полупроводниковые материалы.

Собственные полупроводники - полупроводники, не содержащие донорных и акцепторных примесей.

В собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы:

; (7)

где NC и NV - эффективные концентрации электронов и дырок в зонах проводимости и валентной зоне соответственно:

; (8)

; (9)

WC, WV - уровни дна зоны проводимости и потолка валентной зоны соответственно.

WF - уровень Ферми полупроводника (энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна Ѕ).

эффективная масса электронов в зоне проводимости полупроводника.

эффективная масса дырок в валентной зоне полупроводника.

постоянная Планка.

постоянная Больцмана.

W0 - ширина запрещенной зоны полупроводника.

Произведение концентраций - величина постоянная для данного полупроводника:

, (10)

где ni - концентрация собственных носителей в полупроводнике;

Условие электронейтральности для единичного объема:

р+NД=n+NА , (11)

где слева - положительный заряд дырок и ионизированных доноров NД, а справа - отрицательный заряд электронов и ионизированных акцепторов NА.

Для электронных полупроводников, не содержащих акцепторов:

n=NД+р (12)

Для дырочных полупроводников, не содержащих доноров:

р=NА+n. (13)

Плотность электронной и дырочной составляющей тока в полупроводниковом материале, во внешнем электрическом поле Е:

; (14)

; (15)

где n и p - удельные электронная и дырочная проводимости полупроводника.

; (16)

; (17)

где n и p - подвижность электронов и дырок соответственно.

; (18)

; (19)

где Vn и Vp - средние скорости носителей в полупроводнике.

Соотношение Эйнштейна:

; (20)

; (21)

где Dn и Dp - коэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно.

; (22)

; (23)

где Ln и Lp - диффузионная длина носителей; n и p - время жизни носителей.

Суммарная плотность тока в полупроводнике:

; (24)

- удельная проводимость полупроводника.

; (25)

Для собственного полупроводника, где ni = pi:

; (26)

Для электронного полупроводника где n>>p:

n=enn. (27)

Для дырочного полупроводника где р>>n

p=epp. (28)

Основные параметры полупроводников.

Параметр Ge Si GaAs InSb Атомный вес 72,6 28,1 Диэлектрическая проницаемость (отн. Ед.), 16 12 11 16 Эффективная масса электронов (отн. ед.), mn 0,22 0,33 0,07 0,013 Эффективная масса дырок (отн. ед.), mp 0,39 0,55 0,5 0,6 Ширина запрещенной зоны, эВ, W 0,67 1,11 1,40 0,18 Эффективная плотность состояний Nс, см-3 1,01019 2,81019 Эффективная плотность состояний NV, см-3 0,611019 1,01019 Подвижность электронов, n, см2/сек. 3800 1400 11000 до 65000 Подвижность дырок р, см2/сек. 1800 500 450 700 Собственная концентрация ni, см-3, Т=3000 К. 2,51013 ~21010 ~1,5106 Коэффициент диффузии электронов Dn, см2/сек. 100 36 290 до 1750 Коэффициент диффузии дырок Dp, см2/сек. 45 13 ~12 17

3.Диэлектрические материалы.

К основным характеристикам диэлектриков относят.

Поляризованность диэлектрика:

, (29)

где - вектор индуцированного электрического момента.

V - объем поляризованного диэлектрика.

Дипольный момент поляризованного диэлектрика:

, (30)

где q - суммарный положительный (или отрицательный) заряд диэлектрика.

- плечо диполя, то есть расстояние между положительным и отрицательным зарядами.

В диэлектрике, помещенном в переменное синусоидальное электрическое поле с напряженностью E и угловой частотой , возникают токи двух видов: ток смещения и ток проводимости.

Плотность тока смещения:

, (31)

где 0 - диэлектрическая проницаемость вакуума.

- диэлектрическая проницаемость материала.

Плотность тока проводимости:

; (32)

где - активная проводимость диэлектрика на угловой частоте .

Плотность общего тока j равна векторной сумме плотностей токов смещения и проводимости. Угол между векторами плотностей переменного тока диэлектрика и тока смещения на комплексной плоскости называют углом диэлектрических потерь . Тангенс этого угла:

; (33)

Добротность диэлектрика:

; (34)

Электрическая прочность диэлектрика:

, (35)

где Uпр - напряжение пробоя диэлектрика.

h - толщина материала.

Удельная емкость диэлектрика:

, (36)

где - приведенная длина участка изоляции (см. (4)).

Зависимость удельного сопротивления диэлектрика от температуры:

; (37)

где 0 -сопротивление диэлектрика при температуре окружающей среды Т0=0°С .

- температурный коэффициент сопротивления.

Мощность, выделяемая диэлектриком емкостью С, при подаче на него напряжения U с угловой частотой :

; (38)

Тепловая мощность, отводимая от образца диэлектрика нагретого до температуры Т:

; (39)

где - коэффициент теплоотдачи материала.

S - площадь поверхности диэлектрика.

Т0 - температура окружающей среды.

В условиях теплового равновесия: .

Поэтому ; (40)

, (41) тогда

. (42)

4.Магнитные материалы.

Намагниченностью материала J называется суммарный магнитный момент электронов в единице объема.

Намагниченность материала равна 0 в случае, когда он не был намагничен, и внешнее магнитное поле отсутствует. Под воздействием магнитного поля со средней напряженностью Н внутри тела намагниченность равна:

J=H, (43)

где - магнитная восприимчивость.

Магнитная индукция вещества В связана с намагниченностью:

В=В0+J=B0+H, (44)

где В0 - магнитная индукция вещества в отсутствии внешнего магнитного поля.

Относительная магнитная проницаемость

=1+/0, (45)

где 0=410-7 Гн/м - магнитная постоянная вакуума.

Классификация материалов по магнитным свойствам:

Материалы Магнитная восприимчивость Диамагнетики >0

Остаточной индукцией Br называют индукцию, которая остается в предварительно намагниченном образце после снятия внешнего магнитного поля.

Коэрцитивная сила Hc - напряженность размагничивающего поля, которое должно быть приложено к предварительно намагниченному образцу для того, чтобы магнитная индукция в нем стала равной нулю.

Энергетические потери на гистерезис за один цикл перемагничивания, отнесенные к единице объема вещества (удельные потери):

; (46)

Зависимость магнитной индукции материала от напряженности внешнего магнитного поля имеет форму петли гистерезиса.

Классификация материалов по форме петли гистерезиса:

Материал Форма петли гистерезиса Применение Магнитомягкие Узкая, округлая, небольшая площадь, Нс0 Сердечники трансформаторов и электрические машины. Материалы с прямоугольной петлей гистерезиса (ППГ) Узкая, округлая, небольшая площадь, Нс0 Элементы памяти. Магнитотвердые Широкая, Нс>>0 Для изготовления постоянных магнитов.

Дополнительные параметры магнитных материалов вводят в частных областях по признакам применения.

Например, для магнитных материалов с прямоугольной петлей гистерезиса, основой элементов памяти, важным параметром является коэффициент переключения:

Sф=(Нm-H0), (47)

где Нm- напряженность магнитного поля, соответствующая максимальной магнитной индукции Вm:

Нm4/3Hc (48)

- время переключения элемента памяти, т.е. время необходимое для перехода из одного магнитного состояния в другое, например, от -Вr до +Вr;

Н0 - напряженность поля старта, т.е. минимальная напряженность поля, необходимое для такого перехода.

Для магнитодиэлектрика, состоящего из связующего диэлектрика и магнитного наполнителя магнитная проницаемость :

=а, (49)

где а- магнитная проницаемость наполнителя.

Диэлектрическая проницаемость магнитодиэлектрика:

=mД1- , (50)

где m, Д - диэлектрическая проницаемость наполнителя и диэлектрика соответственно;

- объемное содержание магнитного материала.

3

Показать полностью… https://vk.com/doc108520254_439977756
347 Кб, 18 декабря 2016 в 17:33 - Россия, Москва, МЭСИ, 2016 г., doc
Рекомендуемые документы в приложении